Vishay SI7232DN-T1-GE3
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Verwandte Teile
VishaySIA448DJ-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 12A, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuo
Diodes Inc.DMN2016UTS-13
20V 8.58A 14.5mΩ@4.5V,9.4A 880mW 1V@250uA 2 N-Channel TSSOP-8-3.0mm MOSFETs ROHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI7232DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SI7232DN-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 24 A; 20V; 8-Pin PowerPAK 1212
Dual N-Channel 20 V 0.0164 Ohm 23 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:10A; On Resistance Rds(On):0.0135Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -9.96%
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance16.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.22 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation23 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.6 W
Rds On Max16.4 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen