onsemi FDMA7628
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Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-05-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
VishaySIA448DJ-T1-GE3
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Power MOSFET, N Channel, 20 V, 10.5 A, 0.0084 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMA7628, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 14.5mΩ
Single N-Channel 20 V 1.9 W 17.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICROFET-2x2
Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R
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MOSFET SINGLE N-CH 1.5V SPEC PWRTRNCH 20
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FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process to optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET leadframe.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance14.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.68 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max14.5 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2 mm
Width2 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen