Vishay SI7120ADN-T1-GE3

MOSFET, N-channel, 20V, 3.6A, SOT-23 package, Vishay
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI7120ADN-T1-GE3 herunter.

IHS

Datasheet12 SeitenVor 10 Jahren

element14 APAC

Farnell

Future Electronics

Newark

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SI7120ADN-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13

Verwandte Teile

onsemiFDS5680
Transistor MOSFET Negative Channel 60 Volt 8A 8-Pin SOIC N T/R
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
SQ4850EY-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 60 V, 8-PIN SOIC
STMicroelectronicsSTD12NF06T4
N-Channel 60V - 0.08Ohm - 12A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
InfineonIRF7478TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7478PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI7120ADN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, N-channel, 20V, 3.6A, SOT-23 package, Vishay
MOSFET Devices; VISHAY; SI7120ADN-T1-GE3; 60 V; 9.5 A; 20 V; 50 ns
Trans MOSFET N-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212-8 T/R
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK
N-CH POWERPAK 1212-8 60V 19MOHM @ 10V
MOSFET,N CH,DIODE,60V,9.5A,12128PPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):17500µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:3.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9.5A; Power Dissipation Pd:3.8W; Voltage Vgs Max:20V

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI7120ADN-T1-GE3.
  • SI7120ADNT1GE3