Vishay SI4485DY-T1-GE3
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
VishaySI4214DY-T1-GE3
Si4214DY Series Dual N-Channel 30 V 0.0235 Ohm 3.1 W Power Mosfet - SO-8
Diodes Inc.DMN3018SSD-13
Dual N-Channel 30 V 30 mOhm 6 nC 1.5 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMC3021LSDQ-13
Dual N/P-Channel 30 V 32 /53 mOhm 7.8/10.1 nC 2.5 W Silicon Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4485DY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 30 V 0.042 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
2.4W(Ta),5W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 21nC@ 10 V 1P 30V 42m¦¸@ 5.9A,10V 6A 590pF@15V SOIC-8 1.5mm
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, P CH, -30V, -6A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:5W; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance950 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max24 mΩ
Resistance42 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen