Infineon BSO200N03
$ 0.506
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BSO200N03 | 357 | 9h | |||||||||
| Microchip USA | BSO200N03 | 1.616 | 3500 | Tray | 1d | |||||||
| Win Source | WS-BSO200N03 | 35.500 | 90 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | BSO200N03 | 16.988 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Aztech | BSO200N03 | 7.894 | 1d |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-05-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-02-28
LTD Date2011-08-31
Verwandte Teile
onsemiNTMS4800NR2G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 4.9A Ta 6.4A 2W 6.5ns
VishaySI4830CDY-T1-GE3
Si4830CDY Series Dual N-Channel 30 V 20 mOhm 2.9 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSO200N03, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 7.9A 8-Pin DSO
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
MOSFET, N, 30V, SO-8; Transistor Type:Enhancement; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.9A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.6V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:32A; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.027ohm; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.01 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.56 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time2.6 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen