Vishay SI4435DY-T1-A-E3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.479
Stock
46,823
267,512
Authorized Distributors
0
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SO
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
8 A
8.8 A
Threshold Voltage
-
-1.7 V
Rds On Max
-
20 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
1 W
Input Capacitance
-
1.604 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 weeks ago)
LTB Date2006-07-30
LTD Date2006-10-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4435DY-T1-A-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-CH SO-8 30V 20MOHM @ 10V - USE SI4435BDY FOR NEW DESIG<AZ
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-Channel MOSFETs 30V 8A 2.5W
OBSOLETE - USE SI4435BDY-T1-E3
SI4435DY-T1-A-E3 VISHAY
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm