Vishay SI4434DY-T1-E3
$ 1.845
Obsolete
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-12-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-03
LTD Date2025-05-03
Verwandte Teile
VishaySI7190DP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 250V 18.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4434DY-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 250 V 0.155 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
250V 2.1A 1.56W 155m´Î@10V3A 4V@250Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:3000mA; Drain Source Voltage, Vds:250V; On Resistance, Rds(on):0.162ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V; Power Dissipation, Pd:1.56W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance155 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.56 W
Rds On Max155 mΩ
Resistance155 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen