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3-Monats-Trend: Restocked
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Datenblätter und Dokumente
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDS2170N3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin FLMP SOIC T/R
200V/20V, 128MO, NCH, SINGLE, SO8-B, 1000A GOX, PTI
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 0.128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, SMD, FLMP, SO-8; Transistor Type:PowerTrench; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:3A; Resistance, Rds On:0.128ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:20A; No. of Pins:8; Power Dissipation:3mW; Voltage, Vds Max:200V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance128 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.292 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max128 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height1.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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