Vishay SI4420BDY-T1-GE3

Trans Mosfet N-ch 30V 9.5A 8-PIN SOIC N T/r
$ 0.793
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
742-SI4420BDY-T1-GE3CT-ND2.9041Cut Tape
TME
2
SI4420BDY-T1-GE302500
13h
TTISI4420BDY-T1-GE302500Tape & Reel
16h
AvnetSI4420BDY-T1-GE302500
17h
Future ElectronicsSI4420BDY-T1-GE302500Tape & Reel

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI4420BDY-T1-GE3 herunter.

IHS

Datasheet8 SeitenVor 9 Jahren

Newark

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-32.36%
Powered bySpectra logo

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
VishaySI4420BDY-T1-GE3
VishaySI4420BDY-T1-E3
Price @ 1000
$ 0.793
$ 0.728
Stock
46,515
185,688
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
9.5 A
9.5 A
Threshold Voltage
-
3 V
Rds On Max
8.5 mΩ
8.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.4 W
1.4 W
Input Capacitance
-
-

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-13
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

VishaySI4386DY-T1-E3
Single N-Channel 30 V 7 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Details
InfineonBSO110N03MSGXUMA1
2.5W 20V 7.2nC@ 4.5V,15nC@ 10V 1N 30V 11m¦¸@ 10V 1.1nF@ 15V SOIC-8 , 4.9mm*3.9mm*1.75mm
Details
VishaySI4386DY-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Details
Diodes Inc.DMS3015SSS-13
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
Details
VishaySI4812BDY-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R
Details
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI4420BDY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
Verical
30V, 13.5A, 0.0085ohm,TrenchFET Power MOSFET, N-Channel, SO-8
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:13500mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:1.4W ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

TME
Newark
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric