Vishay SI4101DY-T1-GE3
$ 0.46
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI4101DY-T1-GE3 | 4.215 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | SI4101DY-T1-GE3 | 10.000 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SI4101DY-T1-GE3CT-ND | 4.794 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI4101DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 4h | ||||||||
| TTI | SI4101DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 8h |
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3-Monats-Trend: -0.30%
CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
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Verwandte Teile
VishaySI4168DY-T1-GE3
Si4168DY Series 30 V 24 A 5.7 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - SOIC-8
NXP SemiconductorsPSMN012-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4101DY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
P-Channel 30V 25.7A (Tc) 2.9W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
MOSFET -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III
Small Signal Field-Effect Transistor, 25.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Vishay PMOS, Vds=30 V, 25.7 A, SO-8
MOSFET, P-CH, 30V, 25.7A, SOIC; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:25.7A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.30%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)25.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.19 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation6 W
Rds On Max6 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time80 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen