Vishay SI3456DDV-T1-E3
$ 0.157
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI3456DDV-T1-E3CT-ND | 2.128 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI3456DDV-T1-E3 | 0 | 3K | 21h | ||||||||
| TTI | SI3456DDV-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 10h | |||||||
| Newark | SI3456DDV-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | SI3456DDV-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +28.15%
CAD-Modelle
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFTS9342TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
NXP SemiconductorsPMN38EN,135
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI3424BDV-T1-GE3
Si3424BDV Series N-Channel 30 V 28 mOhms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI3456DDV-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MO-193AA
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:5A; On Resistance Rds(On):0.033Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. Of Pins:6Pinsrohs Compliant: No
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +28.15%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance325 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max40 mΩ
Resistance40 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen