Infineon BSL307SPL6327HTSA1
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Obsolete
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Stock
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2,356,363
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
5.5 A
5.5 A
Threshold Voltage
-
-1.5 V
Rds On Max
43 mΩ
43 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
805 pF
805 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-06-03
LTD Date2014-12-03
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPMN38EN,135
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPMN49EN,135
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSL307SPL6327HTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSL307 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5;
P-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance43 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance805 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max43 mΩ
Rise Time8.4 ns
Turn-Off Delay Time36.4 ns
Turn-On Delay Time7.3 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen