Vishay SI3433CDV-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI3433CDV-T1-GE3 | 9.000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | SI3433CDV-T1-GE3 | 3.000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI3433CDV-T1-GE3 | 6.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SI3433CDV-T1-GE3 | 2.238 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SI3433CDV-T1-GE3 | 3.000 | 3K | Tape & Reel |
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Price @ 1000
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Stock
644,055
150,254
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TSOP
TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
5.2 A
5.2 A
Threshold Voltage
-1 V
-
Rds On Max
38 mΩ
38 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
1.6 W
1.6 W
Input Capacitance
1.3 nF
1.3 nF
Lieferkette
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs, TSOP-6, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI3433CDV-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SI3433CDV-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 6 A; 20 V; 6-Pin TSOP
Single P-Channel 20 V 38 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TSOP-6
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
MOSFET, P-CH, -20V, -6A, TSOP; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -6A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 3.3W; Transistor Case Style: TSOP; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance38 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.3 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max38 mΩ
Resistance38 MΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen