Vishay SI2369DS-T1-GE3

Single P-Channel 30 V 0.04 Ohm 17 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
$ 0.248
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
70AC6498853K
3d
Newark
2
SI2369DS-T1-GE3851Cut Tape
TME
2
SI2369DS-T1-GE341
15h
TTISI2369DS-T1-GE306KTape & Reel
20h
Future ElectronicsSI2369DS-T1-GE303KTape & Reel

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI2369DS-T1-GE3 herunter.

Farnell

Datasheet9 SeitenVor 5 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 12 Jahren

Upverter

element14 APAC

Newark

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-99.92%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SI2369DS-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRLML0030TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Details
VishaySQ2348ES-T1_GE3
3W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 14.5nC@ 10 V 1N 30V 24m¦¸@ 12A,10V 8A 540pF@15V SOT-23-3,TO-236 1.12mm
Details
onsemiFDN537N
TRANSISTOR, SINGLE, N-CHANNEL MOSFET, 30V, 6.5A, 23 MOHM, POWERTRENCH, SSOT3
Details
InfineonIRLML6344TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 29ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Details
InfineonIRLML2030TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Details
onsemiNDS352AP
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -0.9A, 300mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI2369DS-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single P-Channel 30 V 0.04 Ohm 17 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Future Electronics
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Surface Mount
Avnet
MOSFET P-Channel, VDS=30V, VGS=20V, RDSon 29mohm@10V, SOT-23
Sensible Micro
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
IHS
MOSFET, P CH, -30V, -7.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -7.6A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -
Farnell

Bilder

Vishay
element14 APAC
element14 APAC
TME
Farnell
Future Electronics
TME
RS

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI2369DS-T1-GE3.
  • SI2369DST1GE3