Vishay SI2356DS-T1-GE3

Si2356DS Series 40 V 3.2 A 51 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-23-3
$ 0.148
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
SI2356DS-T1-GE35.8761Cut Tape
CoreStaffST636998595.7981
22h
TME
2
SI2356DS-T1-GE301
3h
TTISI2356DS-T1-GE303KTape & Reel
6h
Future ElectronicsSI2356DS-T1-GE303KTape & Reel

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI2356DS-T1-GE3 herunter.

Farnell

Datasheet9 SeitenVor 5 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 9 Jahren

Upverter

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-82.93%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SI2356DS-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

onsemiCPH3448-TL-W
N-Channel Power MOSFET, 30V, 4A, 50mΩ
Details
InfineonIRLML6346TRPBF
MOSFET Transistor, N Channel, 3.4 A, 30 V, 0.046 ohm, 4.5 V, 800 mV
Details
Diodes Inc.DMG3402L-7
N-Channel 30 V 4 A 52 mO Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Details
Diodes Inc.DMG3418L-7
Single N-Channel 30 V 150 mOhm 5.5 nC 1.4 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Details
InfineonIRLML0040TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 3.6 A, 56 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Details
InfineonIRLML6344TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 29ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI2356DS-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Si2356DS Series 40 V 3.2 A 51 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-23-3
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Surface Mount
EBV Elektronik
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Semicontronic
MOSFET, N-CH, 40V, 4.3A, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.3A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.5V; Po
Farnell

Bilder

Farnell
Newark
Future Electronics
TME

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI2356-DS-T1-GE3