Vishay SI1965DH-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI1965DH-T1-GE3 | 4.145 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | SI1965DH-T1-GE3 | 12.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SI1965DH-T1-GE3CT-ND | 12.534 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI1965DH-T1-GE3 | 12.000 | 3K | Tape & Reel | 4h | |||||||
| TME | SI1965DH-T1-GE3 | 0 | 3K | 1d |
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SC
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
12 V
Continuous Drain Current (ID)
1.14 A
1.14 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
390 mΩ
390 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
740 mW
740 mW
Input Capacitance
120 pF
120 pF
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI1965DH-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SI1965DH-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.2 A, 12 V, 6-PIN SOT-363
740mW 8V 1V@ 250¦ÌA 4.2nC@ 8V 2P 12V 390m¦¸@ 1A,4.5V 1.3A 120pF@6V SC-70-6 2mm*1.25mm*1mm
Dual P-Channel 12 V 390 mO 1.7 nC Power Mosfet - SOT-363
Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.14A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V
场效应管, MOSFET, 双路, P沟道, 12V, 1.3A, SOT-363;
MOSFET, DUAL, P-CH, 12V, 1.3A, SOT-363;
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:12V; Continuous Drain Current Id:1.3A; On Resistance Rds(On):0.315Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:400Mv Rohs Compliant: No
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28.009329 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.14 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance390 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance120 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-400 mV
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation740 mW
Rds On Max390 mΩ
Resistance390 mΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen