Vishay IRLZ44STRRPBF
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vds)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
28 mΩ
28 mΩ
28 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
10 V
10 V
Power Dissipation
3.7 W
3.7 W
3.7 W
Input Capacitance
3.3 nF
3.3 nF
3.3 nF
Verwandte Teile
InfineonIRF4905STRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 70 A, 20 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRLZ44STRRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRLZ44S Series N-Channel 60 V 28 mOhm 3.7 W Power Mosfet - D2PAK (TO-263)
N-Ch MOSFET 60V 50A 28mΩ@31A,5V 10V 2V@250µA 66nC@5V 3.3nF@25V 3.7W(Ta) 150W(Tc) TO-263 SMD
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 T/R
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
POWER MOSFET, N CHANNEL, 60V, 50A;
NCHAN, SMD-220, 60V IRLZ44STRRPBF
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins220
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance3.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max28 mΩ
Resistance28 MΩ
Rise Time230 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.02 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen