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Price @ 1000
$ 1.81
$ 0.53
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240,280
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Authorized Distributors
2
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount, Through Hole
Surface Mount, Through Hole
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
7.7 A
7.7 A
7.7 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
270 mΩ
270 mΩ
270 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
10 V
10 V
Power Dissipation
-
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
490 pF
490 pF
490 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Verwandte Teile
onsemiSFT1443-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFR120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
InfineonIRFR120NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Diodes Inc.DMP10H400SK3-13
Single P-Channel 100 V 300 mOhm 8.4 nC 42 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRLR120, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N Channel Mosfet, 100V, 7.7A, D-Pak
HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
2.5W(Ta)£¬42W(Tc) 10V 2V@ 250¦ÌA 12nC@ 5 V 1individualNChannel 100V 270m¦¸@ 4.6A,5V 7.7A 490pF@25V TO-252 SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance490 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max270 mΩ
Rise Time64 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns