Vishay IRFU9110PBF
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
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MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;I-Pak (TO-251AA);PD 66W
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFU9110PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
100V 3.1A 1.2¦¸@10V,1.9A 25W 4V@250¦ÌA P Channel TO-251(I-PAK) MOSFETs ROHS
MOSFET; TRANSISTOR POLARITY:P CHANNEL; C
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, P-CH, 100V, 3.1A, TO-251;
PCHAN, TO-251AA, 100V IRFU9110PBF
MOSFET, P, -100V, -3.1A, I-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.73 mm
Width2.38 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen