Vishay IRFR220TRLPBF
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6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
4.8 A
4.8 A
4.8 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
800 mΩ
800 mΩ
800 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
260 pF
260 pF
260 pF
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD5N20LT4
MOSFET Transistor, N Channel, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes
VishayIRFR9220TRPBF
Single P-Channel 200 V 1.5 Ohms Surface Mount Power Mosfet - DPAK (TO-252)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFR220TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
2.5W(Ta)£¬42W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 14nC@ 10 V 1individualNChannel 200V 800m¦¸@ 2.9A,10V 4.8A 260pF@25V TO-252 SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance260 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max800 mΩ
Resistance800 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen