onsemi FQD7N20LTM
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-01-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
VishayIRFR420TRPBF
Single N-Channel 500 V 3 O 19 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-252 (DPAK)
STMicroelectronicsSTD8NM60ND
N-channel 600 V, 0.59 Ohm, 7 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQD7N20LTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 200 V, 5.5 A, 750 mΩ, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
2.5W(Ta)£¬45W(Tc) 20V 2V@ 250¦ÌA 9nC@ 5 V 1individualNChannel 200V 750m¦¸@ 2.75A,10V 5.5A 500pF@25V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Current Rating5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance780 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max750 mΩ
Rise Time125 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen