Vishay IRFR024TRLPBF
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
14 A
14 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
100 mΩ
100 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
2.5 W
Input Capacitance
640 pF
640 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
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MOSFET P-CH 55V 18A DPAK P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFR024TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 60 V 14 A 2.5 W 100 mOhm Surface Mount Mosfet - D-Pak
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
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MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:14A; On Resistance, Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance640 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max100 mΩ
Rise Time58 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm