Infineon IRFR024NPBF

Name: Infineon IRFR024NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR024NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.075 Ohm; Id 17A; D-pak (TO-252AA); Pd 45W

$ 1.5

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR024NPBF	0	1	Bulk	2,550	2,260	1,970	1,500	1,500	19h
Farnell	IRFR024NPBF	0	1		1,058*	0,837*	0,493*	0,394*	0,387*	5h
Sensible Micro	IRFR024NPBF	93					0,392	0,363	0,363	7d
Win Source	WS-IRFR024NPBF	85.750	265					0,171	0,147	7h
Worldway Electronics	IRFR024NPBF	19.449	7	Tube		0,038	0,037	0,035	0,035	6h

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Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

Datasheet11 SeitenVor 27 Jahren

Datasheet10 SeitenVor 27 Jahren

IHS

Upverter

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1996-02-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR024NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 0.075 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:17A; On Resistance, Rds(on):75mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 17 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 75 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 27 / Rise Time ns = 34 / Turn-OFF Delay Time ns = 19 / Turn-ON Delay Time ns = 4.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 45

Distrelec

MOSFET, N, 55V, 16A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:38W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:17A; Current Temperature:25°C; External Depth:10.5mm; External Length / Height:2.55mm; External Width:6.8mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:3.3°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:38W; Power Dissipation Pd:38W; Pulse Current Idm:68A; SMD Marking:IRFR024N; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

SOS electronic

South Microelectronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFR 024 N PBF
IRFR 024NPBF
IRFR-024NPBF
IRFR024N PBF
IRFR024NPBF.
SP001578012

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)17 A

Current Rating17 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance75 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Dual Supply Voltage55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time27 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance370 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation45 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance75 mΩ

Package Quantity3000

Power Dissipation38 W

Rds On Max75 mΩ

Recovery Time83 ns

Rise Time34 ns

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time19 ns

Turn-On Delay Time4.9 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height2.52 mm

Length6.73 mm