Vishay IRFL9014TRPBF-BE3
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Stock
613,483
2,076,245
2,076,245
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
1.8 A
1.8 A
1.8 A
Threshold Voltage
-
-2 V
-2 V
Rds On Max
-
500 mΩ
500 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
-
270 pF
270 pF
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFL9014TRPBF-BE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET P-Channel 60V 1.8A 4-Pin SOT-223
2W(Ta),3.1W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 12nC@ 10 V 1P 60V 500m¦¸@ 1.1A,10V 1.8A 270pF@25V SOT-223
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Mosfet, P-Ch, 60V, 1.8A, Sot-223; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:1.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Vishay IRFL9014TRPBF-BE3
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Turn-Off Delay Time9.6 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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