Vishay IRFL110TRPBF
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Stock
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191,409
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Continuous Drain Current (ID)
1.5 A
1.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
540 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.1 W
-
Input Capacitance
180 pF
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Verwandte Teile
VishayIRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.69 A, 100 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
InfineonBSP296NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.2 A, 600 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFL110TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-223
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
MOSFET, N; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.54ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; Power Dissipation Pd:2W; Tr
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight250.212891 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Current15 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance540 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance180 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max540 mΩ
Resistance540 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Voltage100 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen