Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRF840LCLPBF-ND | 1.965 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | IRF840LCLPBF | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| TTI | IRF840LCLPBF | 0 | 1K | Tube | 2d | |||||||
| Avnet | IRF840LCLPBF | 0 | 1K | 8h | ||||||||
| TTI Europe | IRF840LCLPBF | 0 | 1K | Tube | 2d |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFQI9N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTB10NK60Z-1
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTFI10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI10N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRF840LCLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
3.1W(Ta),125W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 39nC@ 10 V 1N 500V 850m¦¸@ 4.8A,10V 8A 1.1nF@25V I2PAK 10.67mm*4.83mm*9.65mm
NCHAN, SMD-220, 500V IRF840LCLPBF
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.387001 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max850 mΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen