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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
onsemiFQI12N60TU
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK / Trans MOSFET N-CH 600V 10.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
VishayIRFSL9N60APBF
Single N-Channel 600 V 0.75 Ohms Through Hole Power Mosfet - I2PAK (TO-262)
STMicroelectronicsSTB10NK60Z-1
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI9N50TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) I2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3
3.13W(Ta)，147W(Tc) 5V@ 250µA 36nC@ 10V 1individualNChannel 500V 730mΩ@ 4.5A,10V 1.45pF@25V I2PAK，TO-262 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance730 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.45 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation147 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max730 mΩ
Rise Time95 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen