Vishay IRF830STRLPBF
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
4.5 A
4.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1.5 Ω
1.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.1 W
-
Input Capacitance
610 pF
610 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRF830STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 500 V 1.5 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET Devices; VISHAY; IRF830STRLPBF; 500 V; 4.5 A; 20 V; 3.1 W
74W(Tc) 20V 4V@ 250µA 38nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 1.5Ω@ 2.7A,10V 4.5A 610pF@25V D2PAK，TO-263 SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
NCHAN, SMD-220, 500V IRF830STRLPBF
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance610 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max1.5 Ω
Resistance1.5 Ω
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time8.2 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen