Vishay IRF610STRLPBF
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Price @ 1000
$ 0.8
$ 0.75
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Stock
211,431
193,329
193,329
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
3.3 A
3.3 A
3.3 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
1.5 Ω
1.5 Ω
1.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3 W
3 W
3 W
Input Capacitance
140 pF
140 pF
140 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRF610STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:3.3A; On Resistance, Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SMD-220 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time8.2 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen