Vishay IRF530STRLPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRF530STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET N-CHANNEL 100V
NCHAN IRF530STRLPBF
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 14A, TO-263-3; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:14A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage M
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -16.20%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.946308 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance670 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen