Vishay IRF530STRLPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Verwandte Teile
InfineonIRF9540NSPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK "P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK"
InfineonSPB10N10L G
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRF530STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Ch MOSFET, 100V, 14A, 160mΩ@8.4A,10V, 20V Vgs, 4V@250µA, 26nC@10V, 670pF@25V, 3.7W(Ta), 88W(Tc), D2PAK, SMD
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:14A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:88W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: No |Vishay IRF530STRLPBF.
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.946308 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance670 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen