Vishay 2N7002-T1-E3
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | 2N7002-T1-E3 | 16 | 1 | |||||||||
| TTI Asia | 2N7002-T1-E3 | Kontakt | 2d | |||||||||
| TTI Europe | 2N7002-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 2d | |||||||
| Farnell | 2N7002-T1-E3 | 0 | 5 | Cut Tape | 6h | |||||||
| element14 APAC | 2N7002-T1-E3 | 0 | 5 | Cut Tape | 19h |
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
115 mA
115 mA
115 mA
Threshold Voltage
2.1 V
1 V
1 V
Rds On Max
7.5 Ω
7.5 Ω
7.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
200 mW
225 mW
225 mW
Input Capacitance
50 pF
50 pF
50 pF
Lieferkette
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-02-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-12-21
LTD Date2025-06-21
Verwandte Teile
VishayTP0610K-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 185 mA, 6 Ohm, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
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MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 2 OHMS, ID 300MA, TO-236 (SOT-23),PD 0.35W
Vishay2N7002E-T1-GE3
2N7002E Series N-Channel 60 V 3 Ohm 0.35 W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay 2N7002-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
VISHAY - 2N7002-T1-E3 - MOSFET Transistor, N Channel, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
N Channel Mosfet, 60V, 115Ma To-236, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:115Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:200Mw Rohs Compliant: No |Vishay 2N7002-T1-E3.
MOSFET,N CH,60V,0.115A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Power Dissipation Pd:200mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:115mA; Current Temperature:25°C; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Gfs Min:80mA/V; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:200mW; Power Dissipation Pd:200mW; Pulse Current Idm:800mA; SMD Marking:72; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)115 mA
Current15 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance7.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation200 mW
Rds On Max7.5 Ω
Resistance7.5 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage60 V
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen