STMicroelectronics STW70N60DM2
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW70N60M2
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STMicroelectronicsSTW56N60DM2
N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW70N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronics NMOS MDmesh DM2, Vds=600 V, 66 A, TO-247, , 3
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Power MOSFETs, 600V, 66A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Extremely high dv/dt ruggedness
Mosfet, N-Ch, 600V, 66A, 150Deg C, 446W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:66A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW70N60DM2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)66 A
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance5.508 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max42 mΩ
Schedule B8541210080
Threshold Voltage4 V