Infineon IPW60R041P6FKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW70N60M2
N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPW60R041P6FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Through Hole
481W 20V 3.5V 170nC 1N 600V 37m¦¸ 77.5A 8.18nF@ 100V TO-247-3 16.13mm*5.21mm*21.1mm
Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin TO-247 Tube
Avnet Japan
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
Very high commutation ruggedness
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
Mosfet, N-Ch, 600V, 77.5A, 150Deg C/481W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:77.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW60R041P6FKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)77.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance41 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.18 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation481 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance41 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation481 W
Rds On Max41 mΩ
Rise Time27 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Dimensions
Height25.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen