STMicroelectronics STW56N60DM2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-06-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW56N60M2
N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
InfineonIPW60R070P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3 N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW48N60DM2
N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
InfineonIPW60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW56N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
N-Channel 600 V 60 mOhm Flange Mount MDmesh DM2 Power Mosfet - TO-247
STMicroelectronics N-Channel MOSFET MDmesh DM2 Series Vds=600V 50A TO-247 TH 3-Pin
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 600V, 50A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.052ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance52 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Input Capacitance4.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 W
Min Operating Temperature-55 °C
Rds On Max60 mΩ
Threshold Voltage4 V
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