STMicroelectronics STW65N65DM2AG
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW65N65DM2AG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V,42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 650V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 650V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 60A, TO247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance5.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation446 W
Rds On Max50 mΩ
Schedule B8541290080
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