STMicroelectronics STW65N65DM2AG
$ 5.232
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW65N65DM2AG herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STW65N65DM2AG Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Verwandte Teile
onsemiFCH041N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247
onsemiFCH041N65EF-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 71 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW72N60DM2AG
N-Channel 600 V 42 mOhm Flange Mount MDmesh DM2 Power Mosfet - TO-247
STMicroelectronicsSTW58N65DM2AG
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW65N65DM2AG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V,42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 650V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 650V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
446W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 120nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 50m¦¸@ 30A,10V 60A 5.5nF@100V TO-247-3 Through hole mounting 20.15mm*15.75mm*5.15mm
MOSFET, N-CH, 650V, 60A, TO247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance5.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation446 W
Rds On Max50 mΩ
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW65N65DM2AG herunter.