STMicroelectronics STW56N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPW60R070P6XKSA1
600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET, / N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW70N60DM2
N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW56N65M2
N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW56N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 600 V 55 mOhm Flange Mount MDmesh M2 Power Mosfet - TO-247
STW56N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 52 A, 650 V, 3-PIN TO-247
MOSFET, N-CH, 600V, 52A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 52A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)52 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 W
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation350 W
Rds On Max55 mΩ
Turn-Off Delay Time119 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height24.45 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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