STMicroelectronics STW60N65M5
$ 8.025
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW69N65M5
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW60N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.049 Ohm, 46 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
Trans MOSFET N-CH 710V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MOSFET N-Channel 710V 46A TO247
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 650V, 46A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:3;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance59 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance6.81 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation280 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation255 W
Rds On Max59 mΩ
Resistance59 MΩ
Rise Time11 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time90 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant