STMicroelectronics STW62N65M5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW69N65M5
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW60N65M5
N-channel 650 V, 0.049 Ohm, 46 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPW60R040C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 40 mOhm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW62N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 650V 46A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW62N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 46 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 Ohm typ., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 package
Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 650V, 46A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:46A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW62N65M5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage710 V
Drain to Source Resistance49 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance6.42 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation330 W
Rds On Max49 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time101 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant