STMicroelectronics STU5N60M2
$ 0.619
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-14224-5-ND | 831 | Tube | |||||||||
| Avnet | STU5N60M2 | 0 | 3K | 6h | ||||||||
| Mouser | 511-STU5N60M2 | 2.700 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STU5N60M2 | 373 | 300 | Tube | 20h | |||||||
| Win Source | WS-STU5N60M2 | 11.500 | 65 | 5h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU5N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220 / Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
STU5N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 3.5 A, 650 V, 3-Pin IPAK
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance165 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max1.4 Ω
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time11.8 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm