STMicroelectronics STF6N60M2
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Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF6N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 1.06 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF6N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 4.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP
N-Channel 600 V 1.2 Ohm Flange Mount MDmesh II Plus Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
20W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 8nC@ 10 V 1N 600V 1.2¦¸@ 2.25A,10V 4.5A 232pF@100V TO-220FP
600V 4.5A 20W 1.2¦¸@10V,2.25A 4V@250¦ÌA N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 4.5A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:4.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF6N60M2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance232 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time7.4 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant