STMicroelectronics STS1DNC45
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-10-02
LTD Date2027-04-02
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTS1DN45K3
Dual N-Channel 450 V 3.8 Ohm SMT SuperMESH3 Power MosFet - SOIC-8
InfineonIRF9952TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC / Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STS1DNC45, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1 OHM - 0.4A SO-8 SuperMESH POWER MOSFET
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 450V 0.4A 8-Pin SOIC T/R
2W 30V 3.7V@ 250¦ÌA 10nC@ 10V 2N 450V 4.5¦¸@ 500mA,10V 400mA 160pF@25V SOIC-8 1.75mm
MOSFET, DUAL N-CH, 450V, 0.4A, SOIC; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 400mA; Drain Source Voltage Vds: 450V; On Resistance Rds(on): 4.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs
Mosfet, Dual N-Ch, 450V, 0.4A, Soic; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:450V; Drain Source Voltage Vds P Channel:450V; Continuous Drain Current Id N Channel:400Ma; Continuous Drain Current Id P Channel:400Ma Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STS1DNC45
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)400 mA
Current Rating400 mA
Drain to Source Breakdown Voltage450 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)450 V
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance160 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage450 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max4.1 Ω
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Turn-On Delay Time6.7 ns
Voltage Rating (DC)450 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant