Infineon IRF9952TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMHC3A01N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC / Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF9952TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC / Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
Dual N/P-Channel 30 V 0.1/0.15 Ohm 6.9/6.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Infineon N/P-Channel HEXFET MOSFET, Vds=30V, 2.3A/3.5A, SOIC-8, SMD
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:3.5A; On Resistance, Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SO-8 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance150 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen