STMicroelectronics STP9NK50ZFP
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP9NK50ZFP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STP9NK50ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN TO-220FP
N-channel 500 V, 0.72 Ohm typ., 7.2 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
Ciiva
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220FP Polarity: N Power dissipation: 30 W
N-CHANNEL 500V-0.72 OHM-7.2A TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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MOSFET, N TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.2A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.72ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd
Mosfet, N Channel, 500V, 7.2A, To-220Fp-3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:7.2A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):0.72Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STP9NK50ZFP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance910 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max850 mΩ
Resistance850 MΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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