STMicroelectronics STF10N62K3
$ 0.842
Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STF10N62K3 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Avnet | STF10N62K3 | 0 | 1K | 8h | ||||||||
| Farnell | STF10N62K3 | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Mouser | 511-STF10N62K3 | 976 | 1 | Tube | ||||||||
| Win Source | WS-STF10N62K3 | 8.617 | 55 | 7h |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF10N62K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
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Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max750 mΩ
Rise Time15 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant