STMicroelectronics STP7NM80
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | STP7NM80 | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| Microchip USA | STP7NM80 | 331 | 600 | Tray | 2d | |||||||
| Win Source | WS-STP7NM80 | 58.000 | 25 | 16h | ||||||||
| Worldway Electronics | STP7NM80 | 27.837 | 7 | Tube | 1d | |||||||
| Esaler Electronic | STP7NM80 | 1.000 | 3d |
Datenblätter und Dokumente
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP7NM80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STP7NM80 N-channel MOSFET Transistor, 6.5 A, 800 V, 3-Pin TO-220
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 800V, 6.5A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.25A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):950mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:90W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:6.5A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:90W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.05 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance620 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max1.05 Ω
Resistance1.05 Ω
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant