STMicroelectronics STP80N70F6
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP80N70F6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 68 V, 0.0052 Ohm, 96 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 68 V 0.008 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 68V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)96 A
Drain to Source Breakdown Voltage68 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)68 V
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage68 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time29 ns
Turn-Off Delay Time102 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant