STMicroelectronics STP76NF75
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP80NF55-08
N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - TO-220 StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTP78N75F4
N-channel 75 V, 0.008 Ω, 78 A TO-220, DPAK STripFET™2; DeepGATE™2; Power MOSFET
InfineonIPP052NE7N3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / OptiMOS3 Power-Transistor
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
InfineonIPP040N06N3GXKSA1
188W(Tc) 20V 4V@ 90¦ÌA 98nC@ 10 V 1N 60V 4m¦¸@ 90A,10V 11nF@30V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP76NF75, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
80 A 75 V 0.011 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
300W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 160nC@ 10 V 1individualNChannel 75V 11m¦¸@ 40A,10V 80A 3.7nF@25V TO-220 Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.15mm
75 V, 0.0095 OHM, 80 A N-CHANNEL D2PAK STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant