Infineon IPP052NE7N3GXKSA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-04-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
InfineonIPP057N08N3GXKSA1
MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
InfineonIPP040N06N3GXKSA1
188W(Tc) 20V 4V@ 90¦ÌA 98nC@ 10 V 1N 60V 4m¦¸@ 90A,10V 11nF@30V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
STMicroelectronicsSTP140N8F7
N-channel 80 V, 3.5 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP80NF55-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP052NE7N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / OptiMOS3 Power-Transistor
150W 20V 3.1V 51nC@ 10V 1N 75V 5.2m¦¸@ 10V 80A 3.57nF@ 37.5V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
80 A 75 V 0.0052 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 75V, 80A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0047ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest on-state resistances and superior switching performance.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 80 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 75 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.2 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 8 / Rise Time ns = 11 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220-3 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 150
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.57 nF
Max Dual Supply Voltage75 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5.2 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation150 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen