STMicroelectronics STP52N25M5
$ 1.808
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonBUZ30AHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP52N25M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 250 V, 0.055 Ohm, 28 A, TO-220 MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH Si 250V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 250V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMICROELECTRONICS STP52N25M5 MOSFETS
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.78%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.77 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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