STMicroelectronics STP50NF25
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP50NF25, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 250 V, 0.055 Ohm, 45 A, TO-220 low gate charge STripFET(TM) Power MOSFET
STP50NF25 N-channel MOSFET Transistor, 45 A, 250 V, 3-Pin TO-220
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 45 A, 69 mOhm, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
48W 20V 4V@ 250uA 25nC@ 10V 1N 100V 200m¦¸@ 10V,5.7A 9.7A 330pF@25V TO-220 10.4mm*4.6mm*9.15mm
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 250V, 45A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 22A; Drain Source Voltage Vds: 250V; On Resistance Rds(on): 0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)45 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance69 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Dual Supply Voltage250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.67 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max69 mΩ
Resistance69 MΩ
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant